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赵林艳 (赵林艳.) | 刘阳思 (刘阳思.) | 席晓丽 (席晓丽.) (Scholars:席晓丽) | 马立文 (马立文.) | 聂祚仁 (聂祚仁.) (Scholars:聂祚仁)

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CSCD

Abstract:

纳米氧化钨作为一种具有独特物理化学性质的半导体功能材料,已被广泛应用于环境、能源、生命科学、信息技术等领域。本文基于第一性原理计算在纳米氧化钨中的应用进展,概述了量子力学基础上的第一性原理及密度泛函理论的发展历程及基本理论,介绍了该领域常用的MS (Materials studio)、VASP (Vienna ab initio simulation package)等模拟计算软件,并分类阐述了第一性原理计算对氧化钨的微观电子结构、物质相互作用、分子热动力学等方面的研究成果。最后提出了第一性原理计算在纳米氧化钨这类半导体材料研究中存在的问题及未来发展趋势。

Keyword:

电子结构 第一性原理 综述 模拟计算 纳米氧化钨

Author Community:

  • [ 1 ] 北京工业大学材料与制造学部新型功能材料教育部重点实验室
  • [ 2 ] 北京工业大学工业大数据应用技术国家工程实验室
  • [ 3 ] 北京工业大学北京古月新材料研究院*
  • [ 4 ] 首都资源循环材料技术省部共建协同创新中心

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Source :

无机材料学报

Year: 2021

Issue: 11

Page: 1125-1136

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