Abstract：
氧化镓(Ga_2O_3)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-Si NWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga_2O_3/p-Si NWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的＂陷光＂特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga_2O_3/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p...
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Source ：
真空
Year： 2022
Issue： 01
Volume： 59
Page： 33-39
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