Abstract：
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点。GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点，在电动汽车、数据中心及5G通信技术等领域有广泛的应用前景。综述了GaN基SBD的工作原理，目前面临的主要问题，以及器件设计和结构优化的研究进展，包括横向结构(AlGaN/GaN异质结)SBD的外延、肖特基阳极和终端结构的优化；展示了垂直SBD及准垂直SBD的研究进展；最后，对GaN基SBD的进一步发展进行了总结和展望。
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Source ：
半导体技术
Year： 2022
Issue： 07
Volume： 47
Page： 505-512
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