Abstract：
研究了微波功率和反应腔室压强对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法生长AlN薄膜质量的影响。采用高温MPCVD法，以N_2为氮源，三甲基铝(TMAl)为铝源，在6H-SiC衬底上进行AlN薄膜的外延生长。在不同微波功率和不同反应腔室压强下，外延生长了AlN薄膜样品。生长样品的测试结果表明，在微波功率为4 500 W时，样品(002)面X射线摇摆曲线(XRC)半高全宽(FWHM)为217 arcsec。在反应腔室压强为130 Torr(1 Torr=133.3 Pa)时，样品(002)面XRC的FWHM为216 arcsec。该研究将为以后AlN材料的MPCVD生长提供一些参考。
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Source ：
微纳电子技术
Year： 2023
Issue： 04
Volume： 60
Page： 626-632
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