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本发明公开了一种能够提升硅太阳能电池光电转换效率的量子点转光薄膜的制备方法，该转光薄膜是以退火与高能球磨处理后的稀土掺杂量子点粉末与合适溶剂配制成为量子点溶液，在经过等离子体处理后金属、玻璃或半导体基底，采用超声雾化喷涂技术制备薄膜，并进行退火处理后。该方法制备的稀土量子点下转换薄膜可应用于硅太阳能电池上，解决硅太阳能电池光谱失配等问题，可提升电池光电转化效率5％以上。本发明的利用稀土量子剪裁效应制备的下转换薄膜能够实现宽光谱转光，其制备工艺成熟，成本低廉，能够实现大面积制备薄膜，并能直接应用于电池组件镀膜提升光电转换效率。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202310762199.0
Filing Date： 2023-06-27
Publication Date： 2023-09-01
Pub. No.： CN116682892A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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