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共振腔微阵列高效率发光二极管芯片，属于半导体光电子领域。包括透明导电层ITO，SiO2隔离层，上布拉格反射镜，谐振腔，下布拉格反射镜，电流扩展上电极，衬底，下电极，位于谐振腔上方的侧向氧化层，所述谐振腔中含有光辐射有源区。上布拉格反射镜由厚度各为1/4入射光波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成。下布拉格反射镜由厚度各为1/4入射光波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成。本发明提高了光从芯片上表面的出光效率，并且能够有效提取侧壁出射的光，从而增大光提取效率并增加其外量子效率，实现共振腔微阵列高效率发光二极管芯片。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202010964882.9
Filing Date： 2020-09-15
Publication Date： 2023-07-11
Pub. No.： CN112259653B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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