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一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法，涉及光电探测器技术领域。包括以下步骤：(1)利用APSYS软件构建二类超晶格红外探测器结构模型；(2)引入二类超晶格红外探测器物理模型；(3)生成有限元分析算法模型；(4)运行仿真：在建立的物理模型基础上，对划分好的网格进行有限元分析迭代计算，仿真分析二类超晶格红外探测器光谱吸收和器件暗电流；(5)查看仿真结果；(6)获得该二类超晶格红外探测器模型的理论性能参数。本发明避免了复杂的物理公式计算，通过物理模型与灵活的仿真环境较为准确地仿真出二类超晶格红外探测器的性能，并寻找到吸收层结构和势垒层结构设计对于器件暗电流大小的影响规律，为材料的实验生长和器件的结构设计提供理论依据。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202310118104.1
Filing Date： 2023-02-01
Publication Date： 2023-07-04
Pub. No.： CN116384173A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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