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本发明提供了一种柔性氮化镓(GaN)光电探测器的激光快速制作方法包括以下步骤：(1)将柔性衬底键合到GaN外延片上； (2)调整光束焦面位置，保证光束从GaN外延片衬底侧面入射； (3)使光束从步骤(1)中得到的样品结构的边缘进行扫描照射； (4)调整工艺参数，沿所述步骤(3)中的路径反向扫描辐照； (5)去除外延片原有的刚性透明衬底，得到Ga金属纳米颗粒/GaN薄膜/柔性衬底结构； 以及(6)在所述步骤(5)得到的Ga金属纳米颗粒表面制备叉指电极。 通过激光技术一步制备出具有Ga金属纳米颗粒原位分布探测面的柔性GaN光电探测器，简化了工艺，同时诱导探测器表面形成表面等离子体共振效应，光吸收和光响应性能大大增强，适合工业化生产。
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Type： 发明申请
Patent No.： US17864324
Filing Date： 2022-07-13
Publication Date： 2023-02-02
Pub. No.： US20230032584A1
Applicants： Beijing University Of Technology
Legal Status： 实质审查
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