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一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分，上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层，介电层与半导体GaAs层三部分组成；下部分包括十字石墨烯层，介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜，厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成；第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控，实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性，可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202111126379.7
Filing Date： 2021-09-26
Publication Date： 2022-10-28
Pub. No.： CN113809544B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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