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本发明公开一种孔径完全装填输出相干阵半导体激光器，该半导体激光器结构包括：导电衬底和形成于导电衬底上的外延层，外延层表面设置一维阵列种子区、无损耗激光传输波导和相位光栅层。该半导体激光器通过刻蚀周期性排布的阵列单元，形成相干阵半导体激光器内腔即种子区，再通过刻蚀无损耗激光传输波导形成相干阵半导体激光器外腔，进而建立起一种单片集成型复合光腔结构。该半导体激光器引入相位光栅层，改变相干阵半导体激光器非同相模的相位，使其与同相模相位一致，进而获得边发射半导体激光器在慢轴方向孔径完全装填的相干阵列激光输出。本发明公开的该半导体激光器的制备方法具有简单易实施的优点。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202210801900.0
Filing Date： 2022-07-07
Publication Date： 2022-10-14
Pub. No.： CN115189227A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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