Indexed by：
Abstract：
本发明公开了一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片，包括：VCSEL阵列单元和光子晶体；VCSEL阵列单元的有源层内部设有光子晶体，光子晶体的分布满足VCSEL阵列单元的发射光波长正好位于光子晶体的光子禁带之中；VCSEL阵列单元的通道位置处不设置光子晶体，以产生拓扑结构上的缺陷，造成此处折射率的差异。本发明利用光子晶体缺陷态，使激光发射单元的出射光沿着光子晶体的缺陷注入到相邻的激光发射单元的有源层内部，使其内部的粒子发生受激辐射，产生与原VCSEL单元相位相同的激光，由此实现整个阵列的相干。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明申请
Patent No.： CN202210580763.2
Filing Date： 2022-05-25
Publication Date： 2022-09-02
Pub. No.： CN115000808A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 8
Affiliated Colleges：
