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本发明涉及半导体激光器技术领域，提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法，垂直腔面发射激光器阵列结构由上至下依次包括偏振选择结构、液晶模块和垂直腔面发射激光器本体，偏振选择结构能够进行单偏振和偏振调控输出，以获得高正交偏振抑制比的偏振开关功能；液晶模块包括与垂直腔面发射激光器本体相对设置的玻璃基板，以及位于所述玻璃基板和所述垂直腔面发射激光器本体之间的衬垫，以及由所述玻璃基板、所述垂直腔面发射激光器本体和所述衬垫组成的液晶腔室，液晶填充在所述液晶腔室内；垂直腔面发射激光器本体用于发射线偏振光。本发明能够解决现有技术中激光器阵列偏振特性差、偏振调控效率低等缺陷，实现光偏振稳定且开关可调。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202111642224.9
Filing Date： 2021-12-29
Publication Date： 2024-07-05
Pub. No.： CN114400499B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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