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本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202010024893.9
Filing Date： 2020-01-10
Publication Date： 2022-03-15
Pub. No.： CN111206236B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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