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本发明公开了一种GaAs双面双结薄膜太阳能电池结构及制备方法，包括：p型基底层；p型基底层的一侧依次形成有隧道结层、n型非晶硅层、第一i型非晶硅钝化层、p+型非晶硅层、SiON钝化层、第一透明导电薄膜和p型电极；p型基底层的另一侧依次形成有第二i型非晶硅钝化层、n型非晶硅功能层、n+型非晶硅欧姆接触层、第二透明导电薄膜和n型电极。本发明的太阳能电池结构通过在单晶GaAs薄膜上制备非晶硅实现，其可以大大降低GaAs太阳能电池的制备成本，提高Si太阳能电池的转换效率。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202111334929.4
Filing Date： 2021-11-11
Publication Date： 2024-02-13
Pub. No.： CN114068751B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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