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本发明提供一种二极管，包括N型衬底、阳极结构和阴极结构，阳极结构位于N型衬底的正面，阴极结构位于N型衬底的背面。阴极结构包括至少一个第一P+掺杂层以及位于每个第一P+掺杂层内部的第一N+掺杂层，通过第一N+掺杂层可以大大减小二极管的通态压降，而且能够减少静态击穿电压降低的幅度，提高二极管的可靠性。本发明在N型缓冲层内部的横向电阻区设置了第三N+掺杂层，有效抑制了二极管导通时有源区边缘载流子的积累量，即抑制了关断初期二极管内侧边缘的电流集中，分散了关断末期的电流丝，显著提高了二极管过流关断的坚固性，提高了二极管抑制高动态雪崩的能力，有效避免了反向恢复末期第一P+掺杂层与有源区边缘直接形成贯通电流丝而烧毁。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202111039542.6
Filing Date： 2021-09-06
Publication Date： 2022-01-21
Pub. No.： CN113964204A
Applicants： 北京工业大学;;全球能源互联网研究院有限公司;;国网山西省电力公司检修分公司
Legal Status： 驳回
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