Indexed by：
Abstract：
本发明提出一种基于二维材料CrPS4异质结的可见‑近红外光电探测器的构筑及其制备方法，红磷、金属铬粉、硫粉三种混合粉末放入石英管中并采用氩气密封，密封好的石英管放入双温区加热炉中生长二维材料，高温区温度为700‑800℃，低温区温度为600‑700℃，保温10天后，得到亮黑色的CrPS4。采用机械剥离的方法剥离二维材料CrPS4，叠层过渡族金属硫化物二硫化钼，形成CrPS4‑MoS2异质结，异质结具有良好的整流特性、快的响应速度以及可见‑近红外光电探测特性，可以在室温下使用，不需要冷却系统。CrPS4‑MoS2异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用，更好的满足下一代集成电路的发展要求。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明申请
Patent No.： CN202110841776.6
Filing Date： 2021-07-26
Publication Date： 2024-06-04
Pub. No.： CN113707752B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 12
Affiliated Colleges：
