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一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法属于GaN材料外延技术领域，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，生长的低位错密度非极性GaN材料，外延结构从下向上依次为 : r面蓝宝石衬底，低温GaN成核层；高压、高V/III比(V族与III族源摩尔流量比)生长条件生长的高温三维GaN层；第一次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；InGaN插入层；第二次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层。本发明的特点是在二维GaN层中插入InGaN插入层，其能够缓解应力，并且阻挡了部分蓝宝石衬底与GaN失配产生的穿透位错的传递。本发明改善了现有技术的不足，能够减小非极性GaN材料位错密度，改善材料表面形貌，提高外延片的质量。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201910548899.3
Filing Date： 2019-06-24
Publication Date： 2021-11-19
Pub. No.： CN110429019B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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