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本发明提供一种插入InGaN/GaN超晶格结构改善非极性GaN材料外延质量的方法，是一种减小非极性GaN材料位错密度，改善外延片表面形貌，从而提高材料质量的外延生长方法。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，外延结构从下向上依次为，r面蓝宝石衬底，低温GaN成核层；高压、高V/III比(V族与III族源摩尔流量比)生长条件生长的高温三维GaN层；第一次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；InGaN/GaN超晶格结构插入层；第二次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层。本发明的特点是在二维GaN层中插入InGaN/GaN超晶格结构插入层，其能够缓解应力，并且阻挡部分蓝宝石衬底与外延生长的GaN材料失配产生的穿透位错传递。本发明能够减小非极性GaN材料位错密度，改善表明形貌，提高外延片的质量。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201910639441.9
Filing Date： 2019-07-16
Publication Date： 2021-10-26
Pub. No.： CN110364420B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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