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一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法。碳化硅MOSFET模块由碳化硅MOSFET芯片(1)，上DBC基板(2)，下DBC基板(3)，陶瓷转接板(4)，氧化硅介电填充层(5)，纳米银焊膏(6)，再布线层(7)，过孔导电金属(8)和功率端子组成。通过纳米银焊膏(6)将碳化硅MOSFET芯片(1)和下DBC基板(3)连接。在陶瓷转接板(4)上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将碳化硅MOSFET芯片(1)嵌入在陶瓷转接板(4)内。碳化硅MOSFET芯片(1)和陶瓷转接板(4)的上表面覆有导电金属层，陶瓷转接板(4)的上、下表面分别和上DBC基板(2)、下DBC基板(3)互连，各功率端子分别从上DBC基板(2)的导电覆铜层(201)、下DBC基板(3)的导电覆铜层(301)引出。
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Type： 发明申请
Patent No.： WOCN19124448
Filing Date： 2019-12-11
Publication Date： 2021-05-14
Pub. No.： WO2021088197A1
Applicants： Beijing University Of Technology
Legal Status： 未进入国家阶段-PCT有效期满
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