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本发明公开了一种基于氮化镓材料的光继电器，整个光继电器内部器件的制备方式是是氮化镓发光器件、氮化镓光电转换器件和氮化镓高电子迁移率晶体管制备于三个独立芯片，而后进行封装集成；相比较传统基于Si基器件的半导体继电器来说，基于GaN材料的器件光电转化效率高、器件响应速度提高，同时拥有了更高的击穿电压。此外，本发明还将GaN基发光和光电转换器件集成于同一衬底上以及将发光器件、光电转换器件、高电子迁移率晶体管集成在同一衬底上并进行封装，这提高了器件性能，减少了集成封装步骤，同时减小了光电继电器的体积。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202011168045.1
Filing Date： 2020-10-28
Publication Date： 2021-03-02
Pub. No.： CN112436832A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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