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本发明公开了一种带有衍射光学元件VCSEL芯片结构及制备方法，VCSEL芯片结构为底发射型结构，在VCSEL芯片结构的衬底层顶部刻蚀有沟槽并填充有材料，形成衍射光学图形结构；带有衍射光学图形结构的衬底层的顶部依次设有传输介质填充层和增反膜，共同形成VCSEL出射激光的外腔振荡。本发明带有衍射光学元件的衬底层和增反膜构成VCSEL发光单元的外腔结构；带衍射光学元件的衬底层在外腔内参与外腔激光振荡并通过改变光场相位分布，使输出激光等效光束质量因子M2小于1；同时，本发明可以在半导体工艺下一步制成，且不需要光学元件，易实现器件小型化、芯片化。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202011205747.2
Filing Date： 2020-11-02
Publication Date： 2021-02-05
Pub. No.： CN112332215A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查 ; 复审
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