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本发明公开一种具有P型岛缓冲层结构的抗辐射MOSFET结构，在常规功率MOSFET结构的衬底与漂移区之间加入一具有p型岛结构的缓冲层；缓冲层的浓度介于漂移区掺杂浓度和衬底掺杂浓度之间，P型岛浓度与尺寸严格控制，保证器件导通态时处于单极模式情况下；同时在器件处于阻断态时，P型岛对缓冲层‑衬底高低结附近电场有调节作用，改善器件受单粒子辐照时，寄生BJT诱生的反馈效应，进而提高单粒子烧毁阈值。本发明为空间用功率MOSFET提供了一种改善抗单粒子烧毁能力的新结构。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201810352475.5
Filing Date： 2018-04-19
Publication Date： 2021-01-05
Pub. No.： CN108598148B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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