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一种绿色无催化剂制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。本发明通过等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，在不使用任何催化剂条件下，以绿色无污染的N2作为氮源制备性能优异的一维线状的GaN纳米结构。本发明成本低廉，工艺简单，以抛光石墨为衬底，金属镓和碳粉为前驱体。在PECVD系统中，调节反应气压为30Pa‑50Pa；反应温度为825℃‑875℃；N2流速10‑40cm3/min；H2流速5‑10厘米cm3/min；射频电源功率80W‑120W，反应1‑3h得到产物。产物为六方纤锌矿结构的一维GaN纳米线，具有典型的紫光发光特征和优异的场发射性能。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201810319100.9
Filing Date： 2018-04-11
Publication Date： 2020-06-16
Pub. No.： CN108611679B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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