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本发明公开了一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，离子、原子或分子掺杂到钙钛矿材料晶格结构中，改变钙钛矿晶胞参数，进而改善钙钛矿材料能带结构、载流子迁移率、载流子寿命、协调发光特性、材料微结构形貌以及材料稳定性等，进而改善钙钛矿材料性能；包括：合成具有化学式ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1‑xDX6(0＜x＜1)的钙钛矿材料，再将电子、离子、原子、分子等掺杂进入钙钛矿结构中来改善其性能以及稳定性。本发明成本低廉、效果显著，适用于制备高质量高稳定性钙钛矿材料并具备工业化生产潜质，所得到的钙钛矿材料可以应用于钙钛矿太阳能电池、发光二极管、微传感器件、激光器、光电探测器、光敏二极管、薄膜晶体管等光电、铁电、压电功能器件领域。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202010092632.0
Filing Date： 2020-02-14
Publication Date： 2020-06-12
Pub. No.： CN111268922A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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