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一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法，属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础，制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极，并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异，它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍，它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体，具有优异的热发射性能和次级发射性能，有望应用在大功率磁控管中。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201810615636.5
Filing Date： 2018-06-14
Publication Date： 2020-02-11
Pub. No.： CN108878234B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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