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利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法，属于半导体材料领域。使用射频磁控溅射设备在单晶抛光硅片(Si)上沉积一层Nb : Ga2O3薄膜材料。用一种管式炉慢退火的杂质激活工艺，使Nb : Ga2O3薄膜材料中Nb分布均匀化；使Nb离子迁移到晶格中的空位缺陷处，并由间隙位占据替代位；减少结构缺陷，提高结晶化程度，增大晶粒尺寸，进一步提高薄膜质量。与已有技术相比，本发明的特征在于通过选用Nb作为掺杂剂，Ga2O3的禁带宽度有更大的禁带宽度调谐范围。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201710741284.3
Filing Date： 2017-08-25
Publication Date： 2019-02-19
Pub. No.： CN107513695B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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