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一种用于熔融钎料填充硅通孔的方法涉及半导体器件制造技术领域。2.5D/3D集成与系统封装是现在与未来的研发方向。其中，TSV填充工艺被认为是实现三维集成技术的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是铜的成本高且易产生可靠性问题，需要寻找新的填充材料。钎料填充工艺克服了现有合金(以铜为主)填充硅通孔技术的不足，具有研究潜力。本发明提供了一种制作成本低廉、操作便利、填充速度快的钎料填充硅通孔新方法，即通过加热使金属融化，然后通过真空压差产生的毛细作用力将熔融的金属吸入到硅通孔中。这种方法具有极高的填充速度，方法简单，易于实施，同时可以填充多种类的钎料与晶圆。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201810838878.0
Filing Date： 2018-07-27
Publication Date： 2019-01-08
Pub. No.： CN109166818A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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