Indexed by：
Abstract：
一种生长钙钛矿薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。升华PbI2材料，终端设置合适的PbI2生长温度。PbI2沉积完成后，该区加热源迅速降温。升华CH3NH3I，终端设置合适的CH3NH3I生长温度。使CH3NH3I的沉积区恰好与PbI2的沉积区重合。CH3NH3I与PbI2反应生成CH3NH3PbI3薄膜。利用化学气相沉积法制备了CH3NH3PbI3薄膜，丰富了制备CH3NH3PbI3薄膜的方法。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明申请
Patent No.： CN201810601754.0
Filing Date： 2018-06-12
Publication Date： 2018-11-20
Pub. No.： CN108847455A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
