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一种直接太赫兹无损检测硅片透过率并进一步检测电阻率的装置，涉及太赫兹技术领域。包括太赫兹辐射源、准直扩束系统、样品台、太赫兹探测器、计算机、机械吸盘、返工片收集盒；太赫兹辐射源设置在最下方，太赫兹辐射源垂直向上辐射太赫兹波，准直扩束系统设置在太赫兹辐射源的正上方，所述太赫兹探测器设置在准直扩束系统正上方，太赫兹探测器与准直扩束系统之间有一段间距，太赫兹探测器的探头朝下，用于接收太赫兹辐射，样品台设置在太赫兹探测器与准直扩束系统之间，能够沿水平面移动，计算机与太赫兹探测器数据线相连，机械吸盘与计算机数据线连接，返工片收集盒独立。可在不接触硅片的情况下，无损地测量硅片的电阻率，不会对硅片造成损伤。
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Type： 实用新型
Patent No.： CN201721925351.9
Filing Date： 2017-12-29
Publication Date： 2018-10-26
Pub. No.： CN208013081U
Applicants： 北京工业大学;;中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Legal Status： 未缴年费 ; 一案双申
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