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本发明公开了一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法，首先测量阻变存储器在正向、负向偏压区域的I‑V曲线，判断阻变存储器的导电机制。由于载流子有机会从陷阱中跃迁出来，所以当施加在存储器上的陷阱填充电压被移开之后，在短时间内监测到瞬态电流的产生。通过对瞬态电流的e指数函数的拟合，得到了相应的时间常数，并且通过分析不同温度对瞬态电流的影响，得到一组随温度变化而变化的时间常数谱。利用阿仑尼乌斯坐标拟合，确定BFO阻变存储器中缺陷对应能级的激活能。通过改变对阻变存储器施加脉冲的填充电压和填充时间，分析时间常数随填充电压和填充时间的变化，结合极化及陷阱填充状态对阻变存储器有序性的影响，利用时间常数分析阻变存储器内部陷阱的填充状态。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201810423405.4
Filing Date： 2018-05-06
Publication Date： 2018-10-02
Pub. No.： CN108614203A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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