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紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法，属于复合存储器技术领域；利用磁控溅射镀膜仪制备“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构，然后使用短波长的紫外激光辐照该异质结构，控制激光输入能量，使得GeSbTe薄膜发生相变(晶化或者非晶化)而磁性材料薄膜不发生相变，GeSbTe薄膜由于相变产生的体积效应，诱发磁性薄膜磁畴发生偏转并且这种偏转是可以有效控制的，同时相变和磁畴偏转又是可逆的，从而使得激光可以同时对GeSbTe薄膜和磁性薄膜产生作用和控制，有望实现磁存储和相变光存储的耦合复合存储。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201810237053.3
Filing Date： 2018-03-21
Publication Date： 2018-08-21
Pub. No.： CN108428790A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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