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一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，属于光电探测技术领域。光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯‑二硫化钼异质结，其中石墨烯‑二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯‑二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极，形成源漏电极。石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器具有良好整流及光电特性。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201710578169.9
Filing Date： 2017-07-16
Publication Date： 2017-12-29
Pub. No.： CN107527968A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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