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本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构及其生长过程，该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成，所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开；所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、GaN下波导层、InGaN注入层、MQW有源层、AlGaN电子阻挡层、GaN上波导层、AlGaN上包层构成；所述隔离层在所述AlGaN上包层上外延生长而成；所述GaN基HEMT由在隔离层上依次外延生长的AlGaN非掺杂层、GaN非掺杂的通道层、AlN空间隔离层、AlGaN非掺杂势垒层构成。本发明将GaN基HEMT和LD集成在同一块衬底上，实现单片集成GaN基HEMT和LD直接调制半导体激光器。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410665286.5
Filing Date： 2014-11-19
Publication Date： 2017-07-21
Pub. No.： CN104377547B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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