Indexed by：
Abstract：
一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN201410596686.5
Filing Date： 2014-10-29
Publication Date： 2017-07-21
Pub. No.： CN104599856B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 18
Affiliated Colleges：
