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一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si< 110> 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201510101325.3
Filing Date： 2015-03-08
Publication Date： 2017-06-20
Pub. No.： CN104674187B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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