Indexed by：
Abstract：
一种高阶温度补偿的带隙基准电路，属于电子电路技术领域。具体包括一阶带隙基准电路，高阶温度补偿电路，以及零温度系数电流产生电路。本发明基于传统一阶温度补偿的带隙基准电路，利用工作在亚阈值区的MOS管电压 电流特性，产生与温度呈指数关系的高阶项，叠加于一阶带隙基准电压上，进而得到具有高阶温度补偿的带隙基准电压，比传统带隙基准具有更低的温度系数。该电路可以应用于振荡器、数据转换器等各种模拟集成电路中。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN201410147047.0
Filing Date： 2014-04-14
Publication Date： 2017-01-18
Pub. No.： CN104977968B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
