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埋多晶指内透明集电区绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于绝缘栅双极晶体管技术领域。在外延缓冲层之前，通过薄膜生长工艺与光刻工艺形成二氧化硅或氮化硅介质条，再通过同步外延，形成局域交叉分布的多晶硅指。最终通过常规穿通型IGBT的制造工艺，在集电区近集电结附近形成具有埋多晶指结构的内透明集电极IGBT。本发明可控性强，适用范围广，有利于实现低成本和高成品率，且器件性能优良。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201310317124.8
Filing Date： 2013-07-25
Publication Date： 2016-04-06
Pub. No.： CN103515226B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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