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Abstract：
一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，该缓冲层生长在所述衬底上；下分布布拉格反射镜层生长在所述缓冲层上；该下相位匹配层生长在所述下分布布拉格反射镜层上；亚集电极层生长在所述下相位匹配层上；集电极层生长在所述亚集电极层上；基极及量子阱有源区层生长在所述集电极层上；发射极层生长在所述基极及量子阱有源区层上；上相位匹配层生长在所述发射极层上；氧化限制层生长在所述上相位匹配层上；上分布布拉格反射镜层生长在所述氧化限制层上。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201410535772.5
Filing Date： 2014-10-11
Publication Date： 2015-01-28
Pub. No.： CN104319626A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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