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一种InP基面阵器件均匀刻蚀的工艺方法，属于半导体光电子技术领域。本发明采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法，提出干-湿-干刻蚀工艺：先用ICP(干法)刻蚀到本征层，然后利用高选择性腐蚀液对本征层进行腐蚀(湿法)，最后再用ICP刻蚀重掺杂层(干法)。本方法结合了干法刻蚀界面陡直和湿法腐蚀停止的特点；减少了ICP的使用，避免了大量副产物的堆积，减薄了掩膜用SiO2层厚度，得到了陡直平整干净的界面效果，对具有不同的宽深比沟槽的大面积阵列器件一次工艺实现大面积均匀刻蚀，降低了工艺难度，提高器件成品率。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201410111779.4
Filing Date： 2014-03-24
Publication Date： 2014-06-25
Pub. No.： CN103887371A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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