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本发明公开了一种浮区法生长莫来石晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Al2O3和SiO2按照化学计量比进行配料；将配制的混合料进行球磨、烘干、过筛、预烧、再次过筛；然后将粉料压制成棒状的料棒；将制得的料棒经过马弗炉烧结后得到致密均匀的多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，50～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶开始融化，对接，使熔区稳定3～5分钟后，设置晶体生长速度为2～10mm/h，开始晶体生长；生长结束后，设置降温参数冷却至室温。本发明首次用浮区法生长出无宏观缺陷的莫来石晶体，成晶质量高，生长速度快。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201410025472.2
Filing Date： 2014-01-20
Publication Date： 2014-05-21
Pub. No.： CN103806103A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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