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本发明公开了一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片结构，属于半导体激光技术领域。本发明在现有大功率半导体激光器外延材料体系基础上增加生长二极管，该二极管可以防止浪涌和静电等不利因素对半导体激光芯片的损伤，起到保护器件，延长使用寿命的作用。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201210515020.3
Filing Date： 2012-12-04
Publication Date： 2013-04-03
Pub. No.： CN103022891A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回 ; 一案双申
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