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本发明涉及低维纳米材料显微结构与电学性能的测试装置和方法。该装置在衬底的上方是非晶层，下方是阻挡层，阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀掉形成窗口，在非晶层上是金属电极，金属电极之间是低维纳米材料，低维纳米材料位于非晶层上对着窗口的正上方，低维纳米材料上是非晶阻挡层，金属电极上引出导线。本发明提供了一种转移、固定低维纳米材料的方法，可以同时对低维纳米材料进行通电测量，可以在原子点阵分辨率下，原位地测量低维纳米材料的显微结构与电学性能的相关性。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200910084260.0
Filing Date： 2009-05-15
Publication Date： 2012-08-22
Pub. No.： CN101545872B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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