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本发明公开了浮区法生长蓝宝石晶体的方法，属于晶体生长领域。包括以下步骤：将高纯原料按照需要生长晶体的配比进行混合；将步骤(1)中制得的混合料经过球磨、烘干，然后压制成棒状的料棒；将制得的料棒经过烧结后获得多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，设置升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；然后设置晶体生长速度进行晶体生长；设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。本发明无污染，能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量蓝宝石晶体，且操作简单，成本相对较低，可重复性强。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201010532360.8
Filing Date： 2010-10-29
Publication Date： 2011-03-09
Pub. No.： CN101984150A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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