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一种高压功率快恢复二极管及其制造方法，属于半导体器件技术领域。现有高压功率快恢复二极管正向压降呈负温度特性，因此其热可靠性差。本发明之高压功率快恢复二极管主结结深为1～3μm，掺杂浓度为1E16～1E18cm-3。结终端由掺磷多晶硅层场板及铝电极场板复合而成，并且，铝电极与掺磷多晶硅层导通，铝电极场板为多级场板或者无级渐变场板，介质层位于硅高阻层与掺磷多晶硅层场板及铝电极场板之间。本发明之制造方法制备主结的工艺参数为，温度：1050～1150℃，推结时间：60～300分钟，注入剂量控制在1×1012～5×1014cm-2范围内。在制备有主结的硅高阻层上面制作介质层，主结裸露，然后在介质层上面邻近主结处制作掺磷多晶硅层场板，最后制作铝电极场板，铝电极场板与主结、掺磷多晶硅层场板导通并覆盖部分介质层。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200910066582.2
Filing Date： 2009-03-02
Publication Date： 2010-09-15
Pub. No.： CN101504954B
Applicants： 吉林华微电子股份有限公司;;北京工业大学
Legal Status： 授权 ; 权利转移
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