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具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领 域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报 道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功率沉积一层金属铜薄膜，然后 采用小功率溅射法对金属铜薄膜表面进行小功率溅射沉积。我们的研究表明， 直接先沉积的一层金属铜表面接触角在90度左右，在经过稳定的小功率溅射 沉积后，接触角在155℃左右，达到超疏水性，并同时保持良好的导电性能。 本发明的纳米多孔薄膜材料不但具有超疏水性，并且比其它超疏水薄膜材料 拥有较好的机械性能，优良的热传导性和良好的导电性能。该薄膜材料主要 应用于微流器件、生物芯片、半导体芯片表面技术等领域。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200810056012.0
Filing Date： 2008-01-11
Publication Date： 2010-01-06
Pub. No.： CN100577857C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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