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本发明公开了一种制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法，特别涉及一种通过准 分子激光辐照制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法。传统掺杂制备PVDF导电塑料 的方法具有操作复杂且不易进行材料局部导电性选择加工的缺陷。本发明公开 的方法中，采用脉冲频率为4～10Hz、波长为248nm的KrF激光和193nm的 ArF激光作为高能辐照源，控制辐照在PVDF样品上的激光能量密度为 140mJ/cm2～290mJ/cm2，在高绝缘塑料PVDF选定加工区域内快速制备出具有 导电性的PVDF塑料。本发明不引入其他杂质就可实现绝缘到导电材料的相变， 制备时间短、操作简单、可选择加工、工艺可控性强、重复性高。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200610012299.8
Filing Date： 2006-06-16
Publication Date： 2009-07-22
Pub. No.： CN100515739C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费 ; 权利转移
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