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三轴自对准方法制备的垂直腔面发射激光器属半导体光电子技术领域。流程如图3-1～9所示，各步骤均用常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；淀积p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au 2；剥离，只在欧姆接触层3上留有Ti/Pt/Au；套刻；光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au 2共同作为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层3、AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；去掉光刻胶；湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；将样品减薄，抛光，制备n型欧姆接触电极11。本发明使得光刻精度低的光刻机，也能获得三轴对准的垂直腔面发射激光器器件，提高生产效率，降低生产成本。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200410029946.7
Filing Date： 2004-04-06
Publication Date： 2007-03-14
Pub. No.： CN1305191C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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