一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法，属半导体光电子领域。结构包括从上往下排列的p型欧姆接触层(1)，上分布布拉格反射镜(2)，AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)，有源区单元(6)，下分布布拉格反射镜(7)，缓冲层(8)，衬底(9)和n型电极(10)，特征在于：上分布布拉格反射镜(2)和AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)之间有腐蚀停层(3)及AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)和有源区单元(6)中的p型限制层(11)之间设置有相位补偿层(5)制备方法特征在于：采用选择性腐蚀方法湿法腐蚀上分布布拉格反射镜(2)至腐蚀停层(3)，再分别采用选择性湿法腐蚀腐蚀停层(3)和AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)到相位补偿层(5)，其余采用常规技术。本结构可用传统的半导体化学湿法腐蚀工艺，降低成本，提高器件的性能，可靠性和生产效率。