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提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置属于微波低温等离子体技术领域。包括有微波源、真空密封、薄膜沉积、真空泵系统、磁场产生及气路、气体控制部分，磁场产生是在位于谐振腔壁外放置单并磁场线圈，产生电子回旋共振等离子体所需的轴向磁场位形，本发明的特征在于，是在沉积室内放置了可在样片台(12)上方产生均匀轴向磁场的永磁体单元(13)，该单元不仅体积小，在沉积室有较大的移动空间，并且轴向磁场变化大，使得轴向磁场位形在靠近永磁体时发生显著变化，使得谐振腔及沉积室的轴向磁场位形由单并线圈和永磁体单元组合共同形成和调节。这种磁场位形决定了其在电子回旋共振条件下产生的等离子体可获得高的薄膜沉积速度。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN02155431.5
Filing Date： 2002-12-13
Publication Date： 2004-12-22
Pub. No.： CN1181221C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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