Indexed by：
Abstract：
本发明涉及一种钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法，特别是一种用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法。本发明的特征在于：将钒酸盐及掺杂稀土单晶抛光后置于浸蚀液中，浸蚀液成份为浓磷酸和氢氟酸，其体积比为浓磷酸∶氢氟酸＝100∶5～10，在温度60～180℃下浸蚀1～30min，将浸蚀后的晶体冲净、擦干，进行位错蚀坑观察与测试。所述的钒酸盐为钒酸钇或钒酸钆。该方法可以用来判断晶体生长的质量，以保证长出高质量的晶体。该方法可应用于籽晶质量判断，晶体质量控制和晶体品质鉴定等领域。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN02100318.1
Filing Date： 2002-01-10
Publication Date： 2004-03-17
Pub. No.： CN1142330C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 9
Affiliated Colleges：
